• 成功開發450V-2300V SiC平面MOSFET工藝平臺，確保高可靠性與良率競爭力
• 啟動為新客戶開發1200V SiC MOSFET，加速SiC化合物半導體代工業務程序

韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ — 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈，公司近期已完成SiC（碳化矽）平面MOSFET工藝平臺的開發。當前，該平臺在新一代化合物功率半導體市場中正備受青睞。公司還透露，已獲得一家新客戶的1200V SiC MOSFET產品開發訂單，這標誌著其全面啟動SiC化合物半導體代工業務。

SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工藝平臺支援450V至2300V的寬電壓範圍。該平臺已在高壓工作環境下獲得了高可靠性與穩定性資料，證明瞭其卓越效能。此外，透過全面最佳化工藝流程並實現對核心製程的精準管控，公司已將產品良率提升至90%以上，同時提高了生產效率。SK keyfoundry還表示，公司提供差異化的「定製化工藝支援服務」，能夠根據客戶的特定需求微調電氣特性與規格引數。

隨著該工藝平臺開發的完成，SK keyfoundry已獲得一家專註於SiC設計的客戶的1200V高壓產品訂單，並啟動了產品開發工作。該工藝將應用於客戶的工業裝置，在熱效率管理方面發揮關鍵作用。完成樣片評估和可靠性驗證後，公司計劃於2027年上半年啟動全面量產。

此次SiC平面MOSFET工藝平臺的開發，是SK keyfoundry收購SiC專業公司SK powertech後，整合雙方核心能力的首個成果。技術研發完成後隨即獲得實際客戶訂單，也印證了該平臺已跨越技術驗證階段，具備了可立即投入商業化的成熟度與競爭力。

SK keyfoundry執行長Derek D. Lee表示：「SiC平面MOSFET工藝平臺的開發，標誌著SK keyfoundry已在全球化合物半導體市場確立了獨立的技術領導地位。依託我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝，我們將持續拓展高壓功率半導體解決方案，以滿足國內外客戶的需求。」

關於SK keyfoundry

SK keyfoundry總部位於韓國，為半導體公司提供專業的模擬與混合訊號代工服務，產品廣泛應用於消費電子、通訊、計算、汽車及工業等多個領域。憑藉廣泛的技術組合及工藝節點，SK keyfoundry能夠靈活應對全球半導體企業不斷演變的需求。欲瞭解更多資訊，請訪問https://www.skkeyfoundry.com 。